DMT10H015LCG-7 Diodes Incorporated Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | DMT10H015LCG-7 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Diodes Incorporated |
| Cantidad disponible | 96310 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | DMT10H015LCG-7.pdf |
Por favor complete el siguiente formulario de consulta, le responderemos la cotización de DMT10H015LCG-7 en 24 horas.
- Número de pieza
- DMT10H015LCG-7
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Active
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 100V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 9.4A (Ta), 34A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 15 mOhm @ 20A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 250µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 33.3nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 1871pF @ 50V
- Característica FET
-
- Disipación de potencia (Máx)
- 1W (Ta)
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 155°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete de dispositivo del proveedor
- V-DFN3333-8
- Paquete / caja
- 8-VDFN Exposed Pad
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- DMT10H015LCG-7
Componentes relacionados hechos por Diodes Incorporated
,TO-226_straightlead.jpg "ZTX712")
Palabras clave relacionadas para "DMT1"
| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TO220AB |
| DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252 |
| DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A |
| DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SO-8 |
| DMT10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 |
| DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO |
| DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN |
| DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN |
| DMT10H015LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A |
| DMT10H015LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A |
| DMT10H015LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252 |
| DMT10H015LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 7.3A |