SISS23DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Verteiler
| Hersteller-Teilenummer | SISS23DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke | Vishay Siliconix |
| verfügbare Anzahl | 138660 Pieces |
| Stückpreis | Quote by Email ([email protected]) |
| Kurze Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | SISS23DN-T1-GE3.pdf |
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- Artikelnummer
- SISS23DN-T1-GE3
- Produktionsstatus (Lebenszyklus)
- Contact us
- Hersteller lieferzeit
- 6-8 weeks
- Bedingung
- New & Unused, Original Sealed
- Lieferweg
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Teilstatus
- Active
- FET Typ
- P-Channel
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain auf Source-Spannung (Vdss)
- 20V
- Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
- 50A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.8V, 4.5V
- Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
- 4.5 mOhm @ 20A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 900mV @ 250µA
- Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
- 300nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±8V
- Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 8840pF @ 15V
- FET-Eigenschaft
-
- Verlustleistung (Max)
- 4.8W (Ta), 57W (Tc)
- Betriebstemperatur
- -50°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Lieferantengerätepaket
- PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
- Paket / Fall
- 8-PowerVDFN
- Gewicht
- Contact us
- Anwendung
- Email for details
- Ersatzteil
- SISS23DN-T1-GE3
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| Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung |
|---|---|---|
| SISS23DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S |
| SISS26DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S |
| SISS27ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212 |
| SISS27DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S |
| SISS28DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212 |