Hersteller-TeilenummerSIHU7N60E-GE3
Hersteller / MarkeVishay Siliconix
verfügbare Anzahl84070 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N-CH 600V 7A TO-251
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
SIHU7N60E-GE3
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
680pF @ 100V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
78W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Lieferantengerätepaket
I-PAK
Paket / Fall
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
SIHU7N60E-GE3

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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