Hersteller-TeilenummerSIHD7N60ET5-GE3
Hersteller / MarkeVishay Siliconix
verfügbare Anzahl209500 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen SIHD7N60ET5-GE3.pdf

Bitte füllen Sie das untenstehende Anfrageformular aus, wir werden Ihnen das Angebot für SIHD7N60ET5-GE3 innerhalb von 24 Stunden.

Artikelnummer
SIHD7N60ET5-GE3
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
Contact us
Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
680pF @ 100V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
78W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Lieferantengerätepaket
TO-252AA
Paket / Fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht
Contact us
Anwendung
Email for details
Ersatzteil
SIHD7N60ET5-GE3

Verwandte Komponenten von Vishay Siliconix

In Verbindung stehende Schlüsselwörter "SIHD7"

Artikelnummer Hersteller Beschreibung
SIHD7N60E-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
SIHD7N60E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
SIHD7N60ET4-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
SIHD7N60ET5-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA