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SIDR610DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Verteiler
| Hersteller-Teilenummer | SIDR610DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke | Vishay Siliconix |
| verfügbare Anzahl | 137070 Pieces |
| Stückpreis | Quote by Email ([email protected]) |
| Kurze Beschreibung | MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | SIDR610DP-T1-GE3.pdf |
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- Artikelnummer
- SIDR610DP-T1-GE3
- Produktionsstatus (Lebenszyklus)
- Contact us
- Hersteller lieferzeit
- 6-8 weeks
- Bedingung
- New & Unused, Original Sealed
- Lieferweg
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Teilstatus
- Active
- FET Typ
- N-Channel
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain auf Source-Spannung (Vdss)
- 200V
- Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
- 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 7.5V, 10V
- Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
- 31.9 mOhm @ 10A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
- 38nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 1380pF @ 100V
- FET-Eigenschaft
-
- Verlustleistung (Max)
- 6.25W (Ta), 125W (Tc)
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Lieferantengerätepaket
- PowerPAK® SO-8DC
- Paket / Fall
- PowerPAK® SO-8
- Gewicht
- Contact us
- Anwendung
- Email for details
- Ersatzteil
- SIDR610DP-T1-GE3
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| SIDR610DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC |
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| SIDR626DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 60V |
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| SIDR668DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V |
| SIDR680DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V |