Hersteller-TeilenummerSIDR610DP-T1-GE3
Hersteller / MarkeVishay Siliconix
verfügbare Anzahl137070 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
SIDR610DP-T1-GE3
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
31.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1380pF @ 100V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Lieferantengerätepaket
PowerPAK® SO-8DC
Paket / Fall
PowerPAK® SO-8
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
SIDR610DP-T1-GE3

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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