Hersteller-TeilenummerSI4660DY-T1-GE3
Hersteller / MarkeVishay Siliconix
verfügbare Anzahl23170 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
SI4660DY-T1-GE3
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Obsolete
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
25V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
23.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2410pF @ 15V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Lieferantengerätepaket
8-SO
Paket / Fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
SI4660DY-T1-GE3

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