Hersteller-TeilenummerTPH2900ENH,L1Q
Hersteller / MarkeToshiba Semiconductor and Storage
verfügbare Anzahl37470 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N-CH 200V 33A SOP8
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen TPH2900ENH,L1Q.pdf

Bitte füllen Sie das untenstehende Anfrageformular aus, wir werden Ihnen das Angebot für TPH2900ENH,L1Q innerhalb von 24 Stunden.

Artikelnummer
TPH2900ENH,L1Q
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
Contact us
Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
33A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
29 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 100V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
78W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Lieferantengerätepaket
8-SOP Advance (5x5)
Paket / Fall
8-PowerVDFN
Gewicht
Contact us
Anwendung
Email for details
Ersatzteil
TPH2900ENH,L1Q

Verwandte Komponenten von Toshiba Semiconductor and Storage

In Verbindung stehende Schlüsselwörter "TPH2"

Artikelnummer Hersteller Beschreibung
TPH2010FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
TPH2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
TPH2R306NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV
TPH2R506PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TPH2R608NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 75V 150A SOP8