Hersteller-TeilenummerTK9A60D(STA4,Q,M)
Hersteller / MarkeToshiba Semiconductor and Storage
verfügbare Anzahl152220 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen TK9A60D(STA4,Q,M).pdf

Bitte füllen Sie das untenstehende Anfrageformular aus, wir werden Ihnen das Angebot für TK9A60D(STA4,Q,M) innerhalb von 24 Stunden.

Artikelnummer
TK9A60D(STA4,Q,M)
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
Contact us
Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
830 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Lieferantengerätepaket
TO-220SIS
Paket / Fall
TO-220-3 Full Pack
Gewicht
Contact us
Anwendung
Email for details
Ersatzteil
TK9A60D(STA4,Q,M)

Verwandte Komponenten von Toshiba Semiconductor and Storage

In Verbindung stehende Schlüsselwörter "TK9A6"

Artikelnummer Hersteller Beschreibung
TK9A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS
TK9A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 650V 9.3A TO-220SIS