Hersteller-TeilenummerTK6Q60W,S1VQ
Hersteller / MarkeToshiba Semiconductor and Storage
verfügbare Anzahl23890 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N CH 600V 6.2A IPAK
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
TK6Q60W,S1VQ
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
6.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
820 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.7V @ 310µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
390pF @ 300V
FET-Eigenschaft
Super Junction
Verlustleistung (Max)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Lieferantengerätepaket
I-PAK
Paket / Fall
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
TK6Q60W,S1VQ

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
TK6Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK
TK6Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS