Hersteller-TeilenummerTK3A60DA(STA4,Q,M)
Hersteller / MarkeToshiba Semiconductor and Storage
verfügbare Anzahl87910 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
TK3A60DA(STA4,Q,M)
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
2.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.8 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.4V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
380pF @ 25V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
30W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Lieferantengerätepaket
TO-220SIS
Paket / Fall
TO-220-3 Full Pack
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
TK3A60DA(STA4,Q,M)

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
TK3A60DA(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
TK3A60DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS