Hersteller-TeilenummerTK39N60W,S1VF
Hersteller / MarkeToshiba Semiconductor and Storage
verfügbare Anzahl106020 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N CH 600V 38.8A TO247
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
TK39N60W,S1VF
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
38.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.7V @ 1.9mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
4100pF @ 300V
FET-Eigenschaft
Super Junction
Verlustleistung (Max)
270W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Lieferantengerätepaket
TO-247
Paket / Fall
TO-247-3
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
TK39N60W,S1VF

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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