Hersteller-TeilenummerRN2713JE(TE85L,F)
Hersteller / MarkeToshiba Semiconductor and Storage
verfügbare Anzahl101550 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungTRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
ProduktkategorieTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen RN2713JE(TE85L,F).pdf

Bitte füllen Sie das untenstehende Anfrageformular aus, wir werden Ihnen das Angebot für RN2713JE(TE85L,F) innerhalb von 24 Stunden.

Artikelnummer
RN2713JE(TE85L,F)
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
Contact us
Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)
100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50V
Resistor - Base (R1)
47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
200MHz
Leistung max
100mW
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / Fall
SOT-553
Lieferantengerätepaket
ESV
Gewicht
Contact us
Anwendung
Email for details
Ersatzteil
RN2713JE(TE85L,F)

Verwandte Komponenten von Toshiba Semiconductor and Storage

In Verbindung stehende Schlüsselwörter "RN271"

Artikelnummer Hersteller Beschreibung
RN2710JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN2711(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.2W USV
RN2711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN2712JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN2713JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV