Hersteller-TeilenummerRN2610(TE85L,F)
Hersteller / MarkeToshiba Semiconductor and Storage
verfügbare Anzahl139270 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungTRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
ProduktkategorieTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
RN2610(TE85L,F)
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)
100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50V
Resistor - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
200MHz
Leistung max
300mW
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / Fall
SC-74, SOT-457
Lieferantengerätepaket
SM6
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
RN2610(TE85L,F)

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
RN2610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.3W SM6