Hersteller-TeilenummerSTGYA120M65DF2
Hersteller / MarkeSTMicroelectronics
verfügbare Anzahl204170 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungTRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S
ProduktkategorieTransistoren - IGBTs - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
STGYA120M65DF2
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
IGBT-Typ
NPT, Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)
160A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)
360A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic
1.95V @ 15V, 120A
Leistung max
625W
Energie wechseln
1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Eingabetyp
Standard
Gate Ladung
420nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C
66ns/185ns
Testbedingung
400V, 120A, 4.7 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)
202ns
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket / Fall
TO-247-3 Exposed Pad
Lieferantengerätepaket
MAX247™
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
STGYA120M65DF2

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