Hersteller-TeilenummerRQ3E100GNTB
Hersteller / MarkeRohm Semiconductor
verfügbare Anzahl124440 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
RQ3E100GNTB
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11.7 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.9nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
420pF @ 15V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
2W (Ta), 15W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Lieferantengerätepaket
8-HSMT (3.2x3)
Paket / Fall
8-PowerVDFN
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
RQ3E100GNTB

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