HGT1S10N120BNS ON Semiconductor Verteiler
| Hersteller-Teilenummer | HGT1S10N120BNS |
|---|---|
| Hersteller / Marke | ON Semiconductor |
| verfügbare Anzahl | 85680 Pieces |
| Stückpreis | Quote by Email ([email protected]) |
| Kurze Beschreibung | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB |
| Produktkategorie | Transistoren - IGBTs - Einzeln |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | HGT1S10N120BNS.pdf |
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- Artikelnummer
- HGT1S10N120BNS
- Produktionsstatus (Lebenszyklus)
- Contact us
- Hersteller lieferzeit
- 6-8 weeks
- Bedingung
- New & Unused, Original Sealed
- Lieferweg
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Teilstatus
- Not For New Designs
- IGBT-Typ
- NPT
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
- 1200V
- Aktuell - Sammler (Ic) (Max)
- 35A
- Strom - Kollektorimpuls (Icm)
- 80A
- Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic
- 2.7V @ 15V, 10A
- Leistung max
- 298W
- Energie wechseln
- 320µJ (on), 800µJ (off)
- Eingabetyp
- Standard
- Gate Ladung
- 100nC
- Td (ein / aus) bei 25 ° C
- 23ns/165ns
- Testbedingung
- 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
- Reverse Wiederherstellungszeit (trr)
-
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Paket / Fall
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Lieferantengerätepaket
- TO-263AB
- Gewicht
- Contact us
- Anwendung
- Email for details
- Ersatzteil
- HGT1S10N120BNS
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