Hersteller-TeilenummerFQE10N20CTU
Hersteller / MarkeON Semiconductor
verfügbare Anzahl104960 Pieces
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Kurze BeschreibungMOSFET N-CH 200V 4A TO-126
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
FQE10N20CTU
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Obsolete
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
510pF @ 25V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
12.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Lieferantengerätepaket
TO-126
Paket / Fall
TO-225AA, TO-126-3
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
FQE10N20CTU

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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