Hersteller-TeilenummerMT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR
Hersteller / MarkeMicron Technology Inc.
verfügbare Anzahl119980 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungIC DRAM 16G 1866MHZ FBGA
ProduktkategorieSpeicher
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Obsolete
Speichertyp
Volatile
Speicherformat
DRAM
Technologie
SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße
16Gb (256M x 64)
Taktfrequenz
1866MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite
-
Zugriffszeit
-
Speicherschnittstelle
-
Spannungsversorgung
1.1V
Betriebstemperatur
-30°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart
-
Paket / Fall
-
Lieferantengerätepaket
-
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C Micron Technology Inc. IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR Micron Technology Inc. IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA
MT53B256M64D2NK-053 WT:C Micron Technology Inc. IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA
MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR Micron Technology Inc. IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA
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MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR Micron Technology Inc. IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA
MT53B256M64D2NK-062 WT:B TR Micron Technology Inc. IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA
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