MT47H512M4THN-25E:H Micron Technology Inc. Verteiler
| Hersteller-Teilenummer | MT47H512M4THN-25E:H |
|---|---|
| Hersteller / Marke | Micron Technology Inc. |
| verfügbare Anzahl | 87590 Pieces |
| Stückpreis | Quote by Email ([email protected]) |
| Kurze Beschreibung | IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA |
| Produktkategorie | Speicher |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | MT47H512M4THN-25E:H.pdf |
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- Artikelnummer
- MT47H512M4THN-25E:H
- Produktionsstatus (Lebenszyklus)
- Contact us
- Hersteller lieferzeit
- 6-8 weeks
- Bedingung
- New & Unused, Original Sealed
- Lieferweg
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Teilstatus
- Obsolete
- Speichertyp
- Volatile
- Speicherformat
- DRAM
- Technologie
- SDRAM - DDR2
- Speichergröße
- 2Gb (512M x 4)
- Taktfrequenz
- 400MHz
- Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite
- 15ns
- Zugriffszeit
- 400ps
- Speicherschnittstelle
- Parallel
- Spannungsversorgung
- 1.7 V ~ 1.9 V
- Betriebstemperatur
- 0°C ~ 85°C (TC)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Paket / Fall
- 63-TFBGA
- Lieferantengerätepaket
- 63-FBGA (8x10)
- Gewicht
- Contact us
- Anwendung
- Email for details
- Ersatzteil
- MT47H512M4THN-25E:H
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| Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung |
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| MT47H512M4EB-25E:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA |
| MT47H512M4EB-25E:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA |
| MT47H512M4EB-3:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA |
| MT47H512M4THN-25E:H | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA |
| MT47H512M4THN-25E:M | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ |
| MT47H512M4THN-25E:M TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA |
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| MT47H512M4THN-3:E TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA |
| MT47H512M4THN-3:H | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA |
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