Hersteller-TeilenummerMT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
Hersteller / MarkeMicron Technology Inc.
verfügbare Anzahl152740 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungIC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
ProduktkategorieSpeicher
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Obsolete
Speichertyp
Non-Volatile
Speicherformat
FLASH, RAM
Technologie
FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Speichergröße
4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
Taktfrequenz
533MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite
-
Zugriffszeit
-
Speicherschnittstelle
Parallel
Spannungsversorgung
1.8V
Betriebstemperatur
-25°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart
-
Paket / Fall
-
Lieferantengerätepaket
-
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Micron Technology Inc. IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
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