Hersteller-TeilenummerEDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
Hersteller / MarkeMicron Technology Inc.
verfügbare Anzahl71400 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungIC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
ProduktkategorieSpeicher
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
Speichertyp
Volatile
Speicherformat
DRAM
Technologie
SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße
1Gb (64M x 16)
Taktfrequenz
533MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite
-
Zugriffszeit
-
Speicherschnittstelle
Parallel
Spannungsversorgung
1.14 V ~ 1.95 V
Betriebstemperatur
-40°C ~ 105°C (TC)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / Fall
134-VFBGA
Lieferantengerätepaket
134-VFBGA (10x11.5)
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAUT-F-D Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
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