Hersteller-TeilenummerSPB11N60C3ATMA1
Hersteller / MarkeInfineon Technologies
verfügbare Anzahl81650 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
SPB11N60C3ATMA1
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Not For New Designs
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.9V @ 500µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Lieferantengerätepaket
PG-TO263-3-2
Paket / Fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
SPB11N60C3ATMA1

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
SPB11N60C3 D2PK CYPRESS SPB11N60C3 D2PK CYPRESS IC PLCC-28L
SPB11N60C3ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
SPB11N60S5ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 11A TO-263