Hersteller-TeilenummerSPB08P06PGATMA1
Hersteller / MarkeInfineon Technologies
verfügbare Anzahl28620 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen SPB08P06PGATMA1.pdf

Bitte füllen Sie das untenstehende Anfrageformular aus, wir werden Ihnen das Angebot für SPB08P06PGATMA1 innerhalb von 24 Stunden.

Artikelnummer
SPB08P06PGATMA1
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
Contact us
Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
8.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
420pF @ 25V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
42W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Lieferantengerätepaket
D²PAK (TO-263AB)
Paket / Fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht
Contact us
Anwendung
Email for details
Ersatzteil
SPB08P06PGATMA1

Verwandte Komponenten von Infineon Technologies

In Verbindung stehende Schlüsselwörter "SPB08"

Artikelnummer Hersteller Beschreibung
SPB08P06P Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
SPB08P06PGATMA1 Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263