Hersteller-TeilenummerIPI200N25N3GAKSA1
Hersteller / MarkeInfineon Technologies
verfügbare Anzahl119430 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N-CH 250V 64A TO262-3
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
IPI200N25N3GAKSA1
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
250V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
64A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 64A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
7100pF @ 100V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Lieferantengerätepaket
PG-TO262-3
Paket / Fall
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
IPI200N25N3GAKSA1

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
IPI200N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3
IPI200N25N3GAKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3