Hersteller-TeilenummerIPD5N25S3430ATMA1
Hersteller / MarkeInfineon Technologies
verfügbare Anzahl33810 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N-CH TO252-3
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen IPD5N25S3430ATMA1.pdf

Bitte füllen Sie das untenstehende Anfrageformular aus, wir werden Ihnen das Angebot für IPD5N25S3430ATMA1 innerhalb von 24 Stunden.

Artikelnummer
IPD5N25S3430ATMA1
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
Contact us
Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
250V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
430 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 13µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.2nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
422pF @ 25V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
41W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Lieferantengerätepaket
PG-TO252-3-313
Paket / Fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht
Contact us
Anwendung
Email for details
Ersatzteil
IPD5N25S3430ATMA1

Verwandte Komponenten von Infineon Technologies

In Verbindung stehende Schlüsselwörter "IPD5N"

Artikelnummer Hersteller Beschreibung
IPD5N03LAG Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
IPD5N25S3430ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO252-3