Hersteller-TeilenummerBSM10GD120DN2E3224BOSA1
Hersteller / MarkeInfineon Technologies
verfügbare Anzahl126540 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungIGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
ProduktkategorieTransistoren - IGBTs - Module
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
BSM10GD120DN2E3224BOSA1
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Not For New Designs
IGBT-Typ
-
Aufbau
Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)
15A
Leistung max
80W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic
3.2V @ 15V, 10A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)
400µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce
530pF @ 25V
Eingang
Standard
NTC-Thermistor
No
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket / Fall
Module
Lieferantengerätepaket
Module
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
BSM10GD120DN2E3224BOSA1

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
BSM10GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1