Hersteller-TeilenummerBSC190N12NS3GATMA1
Hersteller / MarkeInfineon Technologies
verfügbare Anzahl38820 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen BSC190N12NS3GATMA1.pdf

Bitte füllen Sie das untenstehende Anfrageformular aus, wir werden Ihnen das Angebot für BSC190N12NS3GATMA1 innerhalb von 24 Stunden.

Artikelnummer
BSC190N12NS3GATMA1
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
Contact us
Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
120V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
8.6A (Ta), 44A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 42µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2300pF @ 60V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
69W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Lieferantengerätepaket
PG-TDSON-8
Paket / Fall
8-PowerTDFN
Gewicht
Contact us
Anwendung
Email for details
Ersatzteil
BSC190N12NS3GATMA1

Verwandte Komponenten von Infineon Technologies

In Verbindung stehende Schlüsselwörter "BSC190"

Artikelnummer Hersteller Beschreibung
BSC190N12NS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8
BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8