Hersteller-TeilenummerGSID600A120S4B1
Hersteller / MarkeGlobal Power Technologies Group
verfügbare Anzahl126320 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungSILICON IGBT MODULES
ProduktkategorieTransistoren - IGBTs - Module
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
GSID600A120S4B1
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
IGBT-Typ
-
Aufbau
Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)
1130A
Leistung max
3060W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 600A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)
1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce
51nF @ 25V
Eingang
Standard
NTC-Thermistor
Yes
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket / Fall
Module
Lieferantengerätepaket
Module
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
GSID600A120S4B1

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
GSID600A120S4B1 Global Power Technologies Group SILICON IGBT MODULES