Hersteller-TeilenummerDDTD114GC-7-F
Hersteller / MarkeDiodes Incorporated
verfügbare Anzahl116880 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungTRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
ProduktkategorieTransistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
DDTD114GC-7-F
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)
500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50V
Resistor - Base (R1)
-
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
56 @ 50mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
200MHz
Leistung max
200mW
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / Fall
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket
SOT-23-3
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
DDTD114GC-7-F

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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