Номер детали производителяAFT09S220-02NR3
Производитель / МаркаNXP USA Inc.
Доступное количество185120 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеIC TRANSISTOR RF LDMOS
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию AFT09S220-02NR3.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение AFT09S220-02NR3 в течение 24 часов.

номер части
AFT09S220-02NR3
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Active
Тип транзистора
LDMOS
частота
920MHz
Усиление
19.5dB
Напряжение - испытание
28V
Текущий рейтинг
-
Коэффициент шума
-
Текущий - Тест
1.4A
Выходная мощность
54W
Напряжение - Номинальное напряжение
70V
Упаковка / чехол
OM-780-2
Пакет устройств поставщика
OM-780-2
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
AFT09S220-02NR3

Связанные компоненты сделаны NXP USA Inc.

Связанные ключевые слова "AFT09"

номер части производитель Описание
AFT09H310-03SR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230S-4S
AFT09H310-04GSR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230-4GS
AFT09MP055GNR1 NXP USA Inc. FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270
AFT09MP055NR1 NXP USA Inc. FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270
AFT09MS007NT1 NXP USA Inc. FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W
AFT09MS015NT1 NXP USA Inc. FET RF 40V 870MHZ PLD
AFT09MS031GNR1 NXP USA Inc. FET RF 40V 870MHZ TO270-2G
AFT09MS031NR1 NXP USA Inc. FET RF 40V 870MHZ TO-270-2
AFT09S200W02GNR3 NXP USA Inc. FET RF 70V 960MHZ PLD
AFT09S200W02NR3 NXP USA Inc. FET RF 70V 960MHZ PLD
AFT09S200W02SR3 NXP USA Inc. RF MOSFET LDMOS 4W PLD
AFT09S220-02NR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS