Номер детали производителяVS-GB400TH120N
Производитель / МаркаVishay Semiconductor Diodes Division
Доступное количество117360 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеIGBT 1200V 800A 2604W INT-A-PAK
Категория продуктаТранзисторы - IGBT - Модули
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию VS-GB400TH120N.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение VS-GB400TH120N в течение 24 часов.

номер части
VS-GB400TH120N
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Active
Тип IGBT
-
конфигурация
Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
800A
Мощность - макс.
2604W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 400A (Typ)
Ток - отсечка коллектора (макс.)
5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce
32.7nF @ 25V
вход
Standard
Термистор NTC
No
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Упаковка / чехол
Double INT-A-PAK (3 + 4)
Пакет устройств поставщика
Double INT-A-PAK
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
VS-GB400TH120N

Связанные компоненты сделаны Vishay Semiconductor Diodes Division

Связанные ключевые слова "VS-G"

номер части производитель Описание
VS-GA100NA60UP VISHAY VS-GA100NA60UP original vishay components
VS-GA200SA60UP Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 600V 200A 500W SOT-227
VS-GA200TH60S Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK
VS-GA250SA60S Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 600V 400A SOT227
VS-GA300TD60S Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 600V 530A 1136W INT-A-PAK
VS-GA400TD60S Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 600V 750A 1563W INT-A-PAK
VS-GB05XP120KTPBF Vishay Semiconductor Diodes Division MODULE MTP SWITCH
VS-GB100LH120N Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
VS-GB100LP120N Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK
VS-GB100NH120N Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
VS-GB100TH120N Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
VS-GB100TH120U Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK