VS-ETH3006STRL-M3 Vishay Semiconductor Diodes Division дистрибьютор
| Номер детали производителя | VS-ETH3006STRL-M3 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Доступное количество | 212380 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB |
| Категория продукта | Диоды - выпрямители - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | VS-ETH3006STRL-M3.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение VS-ETH3006STRL-M3 в течение 24 часов.
- номер части
- VS-ETH3006STRL-M3
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип диода
- Standard
- Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)
- 600V
- Текущий - средний отрегулированный (Io)
- 30A
- Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если
- 2.65V @ 30A
- скорость
- Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr)
- 26ns
- Текущий - обратный утечек @ Vr
- 30µA @ 600V
- Емкость @ Vr, F
-
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Упаковка / чехол
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Пакет устройств поставщика
- TO-263AB (D²PAK)
- Рабочая температура - Соединение
- -65°C ~ 175°C
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- VS-ETH3006STRL-M3
Связанные компоненты сделаны Vishay Semiconductor Diodes Division
-
-
-
-
VISHAYSolid Tantalum Chip Capacitors TANTAMOUNT, Conformal Coated, Maximum CV, Low ESR -
-
-
-
-
-
.jpg "VJ0402V123MXQCW1BC")
.jpg "PHT0603Y1001BGTB")
Связанные ключевые слова "VS-ET"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| VS-ETF075Y60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B |
| VS-ETF150Y65N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 650V 150A EMIPAK-2B |
| VS-ETF150Y65U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 650V 150A EMIPAK-2B |
| VS-ETH0806-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2 |
| VS-ETH0806FP-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2 |
| VS-ETH1506-1HM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A TO262AA |
| VS-ETH1506-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2 |
| VS-ETH1506FP-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP |
| VS-ETH1506S-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK |
| VS-ETH1506SHM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB |
| VS-ETH1506STRL-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB |
| VS-ETH1506STRLHM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB |