SIHB22N60E-GE3 Vishay Siliconix дистрибьютор
| Номер детали производителя | SIHB22N60E-GE3 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Vishay Siliconix |
| Доступное количество | 104390 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | SIHB22N60E-GE3.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение SIHB22N60E-GE3 в течение 24 часов.
- номер части
- SIHB22N60E-GE3
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 600V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 21A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 180 mOhm @ 11A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 86nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±30V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 1920pF @ 100V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 227W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- D2PAK
- Упаковка / чехол
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- SIHB22N60E-GE3
Связанные компоненты сделаны Vishay Siliconix
.jpg "CDR32BP240BJZSAC")
.jpg "PHP00603E1371BST1")
Связанные ключевые слова "SIHB"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| SIHB10N40D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 10A DPAK |
| SIHB12N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK |
| SIHB12N50E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263 |
| SIHB12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
| SIHB12N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
| SIHB12N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
| SIHB12N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK |
| SIHB15N50E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263 |
| SIHB15N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 15A DPAK |
| SIHB15N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 15A TO263 |
| SIHB16N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK |
| SIHB18N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 18A TO263 |