SI4913DY-T1-GE3 Vishay Siliconix дистрибьютор
| Номер детали производителя | SI4913DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Vishay Siliconix |
| Доступное количество | 137430 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | SI4913DY-T1-GE3.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение SI4913DY-T1-GE3 в течение 24 часов.
- номер части
- SI4913DY-T1-GE3
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Obsolete
- Тип полевого транзистора
- 2 P-Channel (Dual)
- Функция FET
- Logic Level Gate
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 20V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 7.1A
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1V @ 500µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 65nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
-
- Мощность - макс.
- 1.1W
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Упаковка / чехол
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Пакет устройств поставщика
- 8-SO
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- SI4913DY-T1-GE3
Связанные компоненты сделаны Vishay Siliconix
.jpg "CDR32BP122AFZSAT")
-1,30mm.jpg "CDR31BP510BFWSAR")
Связанные ключевые слова "SI491"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| SI4910DY-T1 | VISHAY | SI4910DY-T1 original vishay components |
| Si4910DY-T1-E | VISHAY | Si4910DY-T1-E original vishay components |
| SI4910DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC |
| SI4910DY-T1-E3 GE3 | VISHAY | SI4910DY-T1-E3 GE3 original vishay components |
| SI4910DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC |
| SI4911DY | VISHAY | Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI4911DY-T1-E3， | VISHAY | SI4911DY-T1-E3， original vishay components |
| SI4911DY-T1-GE3 | VISHAY | SI4911DY-T1-GE3 original vishay components |
| SI4912 | VISHAY | SI4912 original vishay components |
| SI4912DY-T1-E3 | VISHAY | SI4912DY-T1-E3 original vishay components |
| SI4913DY | VISHAY | Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI4913DY-T1 | VISHAY | SI4913DY-T1 original vishay components |