номер части

SI4442DY-T1-GE3

Состояние производства (жизненный цикл)

Contact us

Время выполнения производителя

6-8 weeks

Состояние

New & Unused, Original Sealed

Способ доставки

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Статус детали

Active

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

30V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

15A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

4.5 mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs (Макс.)

±12V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

-

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

1.6W (Ta)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройств поставщика

8-SO

Упаковка / чехол

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вес

Contact us

заявка

Email for details

Сменная часть

SI4442DY-T1-GE3