номер части

SI2318CDS-T1-GE3

Состояние производства (жизненный цикл)

Contact us

Время выполнения производителя

6-8 weeks

Состояние

New & Unused, Original Sealed

Способ доставки

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Статус детали

Active

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

40V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

5.6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

42 mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

9nC @ 10V

Vgs (Макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

340pF @ 20V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

1.25W (Ta), 2.1W (Tc)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройств поставщика

SOT-23-3 (TO-236)

Упаковка / чехол

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вес

Contact us

заявка

Email for details

Сменная часть

SI2318CDS-T1-GE3