IRF840LCLPBF Vishay Siliconix дистрибьютор
| Номер детали производителя | IRF840LCLPBF |
|---|---|
| Производитель / Марка | Vishay Siliconix |
| Доступное количество | 102800 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 500V 8A TO-262 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | IRF840LCLPBF.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IRF840LCLPBF в течение 24 часов.
- номер части
- IRF840LCLPBF
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 500V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 8A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 850 mOhm @ 4.8A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 39nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±30V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 1100pF @ 25V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 3.1W (Ta), 125W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Through Hole
- Пакет устройств поставщика
- I2PAK
- Упаковка / чехол
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- IRF840LCLPBF
Связанные компоненты сделаны Vishay Siliconix
-
-
-
-
-
-
-
VISHAYWet Tantalum Capacitors Sintered Anode TANTALEX㈢ Capacitors Hermetically-Sealed with True Glass-to-Tantalum Seal -
-
-
-1,30mm.jpg "CDR31BP101BFZSAB")
Связанные ключевые слова "IRF8"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IRF8000T00B01 | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |
| IRF8001STR | MICROCHIP | IRF8001STR MICROCHIP IC QFP80 |
| IRF8010-HEXFETTO-220 | MICROCHIP | IRF8010-HEXFETTO-220 MICROCHIP IC QFP80 |
| IRF8010-LF | MICROCHIP | IRF8010-LF MICROCHIP IC QFP80 |
| IRF8010. | MICROCHIP | IRF8010. MICROCHIP IC QFP80 |
| IRF8010PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB |
| IRF8010S-LF | MICROCHIP | IRF8010S-LF MICROCHIP IC QFP80 |
| IRF8010SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK |
| IRF8010STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK |
| IRF8010STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK |
| IRF8023 | MICROCHIP | IRF8023 MICROCHIP IC QFP80 |
| IRF8110TRPBF | MICROCHIP | IRF8110TRPBF MICROCHIP IC QFP80 |