VB125ASP-E STMicroelectronics дистрибьютор
| Номер детали производителя | VB125ASP-E |
|---|---|
| Производитель / Марка | STMicroelectronics |
| Доступное количество | 148940 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | IC COIL DRIVER PAR 10POWERSO |
| Категория продукта | PMIC - Переключатели распределения питания, драйверы нагрузки |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | VB125ASP-E.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение VB125ASP-E в течение 24 часов.
- номер части
- VB125ASP-E
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Obsolete
- Тип переключателя
- General Purpose
- Количество выходов
- 1
- Соотношение - вход: выход
- 1:1
- Конфигурация вывода
- Low Side
- Тип выхода
- Bipolar
- Интерфейс
- Parallel
- Напряжение - Нагрузка
- 6 V ~ 24 V
- Напряжение - питание (Vcc / Vdd)
- Not Required
- Ток - выход (макс.)
- 11.1A
- Rds On (Тип)
-
- Тип ввода
- Non-Inverting
- Особенности
- Status Flag
- Защита от сбоев
- Over Temperature
- Рабочая Температура
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Упаковка / чехол
- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Пакет устройств поставщика
- 10-PowerSO
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- VB125ASP-E
Связанные компоненты сделаны STMicroelectronics
-
-
-
-
-
-
-
-
STMicroelectronics1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory IC -
-
Связанные ключевые слова "VB1"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| VB10150C | VISHAY | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A |
| VB10150C-E3 | VISHAY | VB10150C-E3 original vishay components |
| VB10150C-E3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO263 |
| VB10150C-E3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO263 |
| VB10150C-M3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 10A 150V TO-263AB |
| VB10150C-M3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 10A 150V TO-263AB |
| VB10150S | VISHAY | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A |
| VB10150S-E3 | VISHAY | VB10150S-E3 original vishay components |
| VB10150S-E3-8W | VISHAY | VB10150S-E3-8W original vishay components |
| VB10150S-E3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO263AB |
| VB10150S-E3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO263AB |
| VB10150S-M3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 10A 150V TO-263AB |