STH290N4F6-6AG STMicroelectronics дистрибьютор
| Номер детали производителя | STH290N4F6-6AG |
|---|---|
| Производитель / Марка | STMicroelectronics |
| Доступное количество | 111190 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | STH290N4F6-6AG.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение STH290N4F6-6AG в течение 24 часов.
- номер части
- STH290N4F6-6AG
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 40V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 180A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 1.7 Ohm @ 45A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 115nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 7380pF @ 25V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 300W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- H2PAK-6
- Упаковка / чехол
- TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- STH290N4F6-6AG
Связанные компоненты сделаны STMicroelectronics
-
-
-
-
-
STMicroelectronics8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 5V Supply Flash Memory IC -
-
-
-
-
STMicroelectronics4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection IC
Связанные ключевые слова "STH2"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| STH2007TBR | STMicroelectronics | STH2007TBR STM IC BGA |
| STH210N75F6-2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2 |
| STH240N10F7-2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 |
| STH240N10F7-6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6 |
| STH240N75F3-2 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 75V 180A H2PAK-2 |
| STH240N75F3-6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK |
| STH245N75F3-6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6 |
| STH250N55F3-6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6 |
| STH250N6F3-6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 250A H2PAK |
| STH260N6F6-2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK |
| STH260N6F6-6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6 |
| STH265N6F6-2AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2 |