RQ3E150MNTB1 Rohm Semiconductor дистрибьютор
| Номер детали производителя | RQ3E150MNTB1 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Rohm Semiconductor |
| Доступное количество | 65830 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | RQ3E150MNTB1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение RQ3E150MNTB1 в течение 24 часов.
- номер части
- RQ3E150MNTB1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Not For New Designs
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 30V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 15A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 6.7 mOhm @ 15A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 20nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 1100pF @ 15V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 2W (Ta)
- Рабочая Температура
- 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- 8-HSMT (3.2x3)
- Упаковка / чехол
- 8-PowerVDFN
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- RQ3E150MNTB1
Связанные компоненты сделаны Rohm Semiconductor
.jpg "KTR10EZPF71R5")
Связанные ключевые слова "RQ3E"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| RQ3E070BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8 |
| RQ3E075ATTB | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT |
| RQ3E080BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8 |
| RQ3E080GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT |
| RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 |
| RQ3E100GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT |
| RQ3E100MNTB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 |
| RQ3E120ATTB | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8 |
| RQ3E120BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8 |
| RQ3E120GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT |
| RQ3E130BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 |
| RQ3E130MNTB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 |