Номер детали производителяMRF8S18120HSR3
Производитель / МаркаNXP USA Inc.
Доступное количество213040 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеFET RF 65V 1.81GHZ NI-780S
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию MRF8S18120HSR3.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение MRF8S18120HSR3 в течение 24 часов.

номер части
MRF8S18120HSR3
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Last Time Buy
Тип транзистора
LDMOS
частота
1.81GHz
Усиление
18.2dB
Напряжение - испытание
28V
Текущий рейтинг
-
Коэффициент шума
-
Текущий - Тест
800mA
Выходная мощность
72W
Напряжение - Номинальное напряжение
65V
Упаковка / чехол
NI-780S
Пакет устройств поставщика
NI-780S
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
MRF8S18120HSR3

Связанные компоненты сделаны NXP USA Inc.

Связанные ключевые слова "MRF8"

номер части производитель Описание
MRF89XA-I/MQ Microchip Technology IC RF TXRX ISM<1GHZ 32-WFQFN
MRF89XAM8A-I/RM Microchip Technology RF TXRX MOD ISM<1GHZ TRACE ANT
MRF89XAM9A-I/RM Microchip Technology RF TXRX MOD ISM<1GHZ TRACE ANT
MRF89XAT-I/MQ Microchip Technology IC RF TXRX ISM<1GHZ 32-WFQFN
MRF8HP21080HR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4
MRF8P20140WGHSR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S
MRF8P20140WHR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4
MRF8P20140WHR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4
MRF8P20140WHSR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4
MRF8P20140WHSR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4
MRF8P20165WHR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4
MRF8P20165WHR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4