APTM50UM13SAG Microsemi Corporation дистрибьютор
| Номер детали производителя | APTM50UM13SAG |
|---|---|
| Производитель / Марка | Microsemi Corporation |
| Доступное количество | 155190 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 500V 335A SP6 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | APTM50UM13SAG.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение APTM50UM13SAG в течение 24 часов.
- номер части
- APTM50UM13SAG
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 500V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 335A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 15 mOhm @ 167.5A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 5V @ 20mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 800nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±30V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 42200pF @ 25V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 3290W (Tc)
- Рабочая Температура
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Chassis Mount
- Пакет устройств поставщика
- SP6
- Упаковка / чехол
- SP6
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- APTM50UM13SAG
Связанные компоненты сделаны Microsemi Corporation
.jpg "MXLSMLJ20AE3")
Связанные ключевые слова "APTM"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| APTM08TAM04PG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P |
| APTM08TDUM04PG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P |
| APTM100A12STG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W |
| APTM100A13DG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 |
| APTM100A13SCG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 |
| APTM100A13SG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 |
| APTM100A18FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 |
| APTM100A23SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 |
| APTM100A23STG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 |
| APTM100A40FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1 |
| APTM100A46FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1 |
| APTM100AM90FG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6 |