IRF6775MTR1PBF Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IRF6775MTR1PBF |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Доступное количество | 208420 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | IRF6775MTR1PBF.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IRF6775MTR1PBF в течение 24 часов.
- номер части
- IRF6775MTR1PBF
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Obsolete
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 150V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 4.9A (Ta), 28A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 56 mOhm @ 5.6A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 5V @ 100µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 36nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 1411pF @ 25V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 2.8W (Ta), 89W (Tc)
- Рабочая Температура
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- DIRECTFET™ MZ
- Упаковка / чехол
- DirectFET™ Isometric MZ
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- IRF6775MTR1PBF
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "IRF6"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IRF6000T00B01 | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |
| IRF6000T00B02 | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |
| IRF6001I | Texas Instruments （TI） | IRF6001I TI BGA IC |
| IRF603FP | STMicroelectronics | IRF603FP STM IC TO-220F |
| IRF60B217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 60A |
| IRF60DM206 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 130A |
| IRF60R217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 58A |
| IRF610 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB |
| IRF610-613 | FAIRCHILD | N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V IC |
| IRF610-R4941 | FAIRCHILD | IRF610-R4941 FAIRCHILD IC TO220 |
| IRF610-TSTU | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |
| IRF610/SIHF610 | VISHAY | IRF610/SIHF610 original vishay components |