IRF5803D2PBF Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IRF5803D2PBF |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Доступное количество | 27320 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | IRF5803D2PBF.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IRF5803D2PBF в течение 24 часов.
- номер части
- IRF5803D2PBF
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Obsolete
- Тип полевого транзистора
- P-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 40V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 3.4A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 112 mOhm @ 3.4A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 37nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 1110pF @ 25V
- Функция FET
- Schottky Diode (Isolated)
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 2W (Ta)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- 8-SO
- Упаковка / чехол
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- IRF5803D2PBF
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "IRF5"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IRF50N05 | HARRIS | IRF50N05 HARRIS IC TO-3P |
| IRF50N06 | HARRIS | IRF50N06 HARRIS IC TO-3P |
| IRF510 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB |
| IRF510-513 | FAIRCHILD | N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V IC |
| IRF510-VI | VISHAY | IRF510-VI original vishay components |
| IRF510A | FAIRCHILD | Advanced Power MOSFET IC |
| IRF510A-TSTU | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |
| IRF510H605 | HARRIS | IRF510H605 HARRIS IC ORIGINAL |
| IRF510L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 |
| IRF510PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB |
| IRF510PBF-VI | VISHAY | IRF510PBF-VI original vishay components |
| IRF510R4941 | FAIRCHILD | IRF510R4941 FAIRCHILD IC Original |