IPB180N10S403ATMA1 Infineon Technologies дистрибьютор
Номер детали производителя | IPB180N10S403ATMA1 |
---|---|
Производитель / Марка | Infineon Technologies |
Доступное количество | 100940 Pieces |
Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
Краткое описание | MOSFET N-CH TO263-7 |
Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
Срок поставки | 1-2 Days |
Код даты (D / C) | New |
Скачать спецификацию | IPB180N10S403ATMA1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPB180N10S403ATMA1 в течение 24 часов.
- номер части
- IPB180N10S403ATMA1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 100V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 180A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 3.3 mOhm @ 100A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 180µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 140nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 10120pF @ 25V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 250W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- PG-TO263-7-3
- Упаковка / чехол
- TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- IPB180N10S403ATMA1
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "IPB180"
номер части | производитель | Описание |
---|---|---|
IPB180N03S4L01ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 |
IPB180N03S4LH0ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 |
IPB180N04S302ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 |
IPB180N04S400ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 |
IPB180N04S401ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 |
IPB180N04S4H0ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 |
IPB180N04S4L01ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 |
IPB180N04S4LH0ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 |
IPB180N06S4H1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
IPB180N06S4H1ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
IPB180N08S402ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 |
IPB180N10S402ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 |