IPB108N15N3GATMA1 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IPB108N15N3GATMA1 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Доступное количество | 119290 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | IPB108N15N3GATMA1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPB108N15N3GATMA1 в течение 24 часов.
- номер части
- IPB108N15N3GATMA1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 150V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 83A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 8V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 10.8 mOhm @ 83A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 160µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 55nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 3230pF @ 75V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 214W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- D²PAK (TO-263AB)
- Упаковка / чехол
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- IPB108N15N3GATMA1
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "IPB10"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IPB100N04S204ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 |
| IPB100N04S204ATMA4 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 |
| IPB100N04S2L03ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 |
| IPB100N04S2L03ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 |
| IPB100N04S303ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 |
| IPB100N04S4H2ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2 |
| IPB100N06S205ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 |
| IPB100N06S205ATMA4 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 |
| IPB100N06S2L05ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 |
| IPB100N06S2L05ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 |
| IPB100N06S3-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK |
| IPB100N06S3-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO-263 |