IPB06CN10N G Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IPB06CN10N G |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Доступное количество | 28370 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | IPB06CN10N G.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPB06CN10N G в течение 24 часов.
- номер части
- IPB06CN10N G
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Obsolete
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 100V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 100A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 6.2 mOhm @ 100A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 180µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 139nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 9200pF @ 50V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 214W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- D²PAK (TO-263AB)
- Упаковка / чехол
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- IPB06CN10N G
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
.jpg "AUIRFS3004-7TRL")
Связанные ключевые слова "IPB0"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IPB009N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7 |
| IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7 |
| IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 |
| IPB011N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 |
| IPB014N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7 |
| IPB015N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 |
| IPB015N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 |
| IPB015N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 |
| IPB016N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
| IPB017N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
| IPB017N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK |
| IPB017N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7 |