IPB039N10N3GATMA1 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IPB039N10N3GATMA1 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Доступное количество | 154580 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | IPB039N10N3GATMA1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPB039N10N3GATMA1 в течение 24 часов.
- номер части
- IPB039N10N3GATMA1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 100V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 160A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 3.9 mOhm @ 100A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 160µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 117nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 8410pF @ 50V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 214W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- PG-TO263-7
- Упаковка / чехол
- TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- IPB039N10N3GATMA1
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "IPB03"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IPB030N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7 |
| IPB031N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V TO263-3 |
| IPB031NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 |
| IPB032N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7 |
| IPB033N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V D2PAK-3 |
| IPB034N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3 |
| IPB034N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 |
| IPB034N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7 |
| IPB035N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3 |
| IPB036N12N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7 |
| IPB037N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 |
| IPB038N12N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3 |