BSZ0901NSATMA1 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | BSZ0901NSATMA1 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Доступное количество | 168980 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 30V S308 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | BSZ0901NSATMA1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение BSZ0901NSATMA1 в течение 24 часов.
- номер части
- BSZ0901NSATMA1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 30V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 22A (Ta), 40A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 2 mOhm @ 20A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 45nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 2850pF @ 15V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 2.1W (Ta), 50W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- PG-TSDSON-8
- Упаковка / чехол
- 8-PowerTDFN
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- BSZ0901NSATMA1
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
;;3.jpg "AUIRFU3607")
Связанные ключевые слова "BSZ0"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| BSZ013NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 32A 8SON |
| BSZ014NE2LS5IFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON |
| BSZ017NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 27A 8SON |
| BSZ018NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 |
| BSZ018NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 |
| BSZ019N03LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8 |
| BSZ023N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8 |
| BSZ025N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8 |
| BSZ028N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 21A 8TSDSON |
| BSZ031NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 19A 8SON |
| BSZ033NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 18A 8SON |
| BSZ034N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 19A 8TSDSON |