BSP298H6327XUSA1 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | BSP298H6327XUSA1 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Доступное количество | 158940 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | BSP298H6327XUSA1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение BSP298H6327XUSA1 в течение 24 часов.
- номер части
- BSP298H6327XUSA1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 400V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 500mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 3 Ohm @ 500mA, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
-
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 400pF @ 25V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 1.8W (Ta)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
-
- Пакет устройств поставщика
- PG-SOT223-4
- Упаковка / чехол
- TO-261-4, TO-261AA
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- BSP298H6327XUSA1
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
;;3.jpg "IRFU48ZPBF")
Связанные ключевые слова "BSP29"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| BSP295E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 |
| BSP295E6327T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 |
| BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 |
| BSP295L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223 |
| BSP296 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 |
| BSP296E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223 |
| BSP296L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 |
| BSP296L6433HTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 |
| BSP296NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT-223 |
| BSP296NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 |
| BSP296NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 |
| BSP297 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 |